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20A40VNMOS
 20A40VMOS管20A电流40V电压NMOS型号20N04
商品型号20A40VNMOS
商品概述:40V N沟道增强型MOS,20N04MOS管,20A40VNMOS,20AMOS管,40VMOS管(20A40VMOS管20A电流40V电压NMOS型号20N04)参数:特点 RθJC/热电阻,结到外壳2℃/ W 热阻,结到环境75℃/ W 漏源击穿电压测试条件
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40V N沟道增强型MOS,20N04MOS管,20A40VNMOS,20AMOS管,40VMOS管(20A40VMOS管20A电流40V电压NMOS型号20N04
20N04MOS管20N04MOS管
20N04MOS管,20A40VNMOS,20AMOS管,40VMOS管:特征
40V/ 20A
内阻O N)=27毫欧 VGS =10V
无铅绿色设备可用
40V漏极到源极电压
参数:
漏源击穿电压40V
栅极阈值电压2-4V零电压门漏电流为30uA
栅极漏电流100nA的±
漏源导通电阻15-18mΩ
20N04MOS管20N04MOS管20N04MOS管
20N04MOS管,20A40VNMOS,20AMOS管,40VMOS管:特点
RθJC/热电阻,结到外壳2℃/ W
热阻,结到环境75℃/ W
漏源击穿电压测试条件VGS= 0V,ID =250uA40V
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