MOS场效应管
MOS场效应管
市场最常用的MOS场效应管应用参数列表应用说明
商品型号MOS场效应管
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产品说明
详细参数
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产品型号 电压参数 电流参数 阻值参数 封装参数
20N03 电压/30V 电流/20A 内阻/26mΩ 封装 TO-252/SOP-8
60N03 电压/30V 电流/60A 内阻/13mΩ 封装 TO-252/TO-220铁
80N03 电压/30V 电流/80A 内阻/10mΩ 封装 TO-252
85N03 电压/30V 电流/85A 内阻/ 8mΩ 封装 TO-252
150N03 电压/30V 电流/150A 内阻/4mΩ 封装 TO-220铁
30P03 电压/30V 电流/30A 内阻/30mΩ 封装 TO-252
20N04 电压/40V 电流/20A 内阻/35mΩ 封装 TO-252
60N04 电压/40V 电流/60A 内阻/ 5mΩ 封装 TO-252
20N06 电压/60V 电流/20A 内阻/50mΩ 封装 TO-252
50N06 电压/60V 电流/50A 内阻/20mΩ 封装 TO-252/TO-220F/SOP-8
75N75 电压/75V 电流/75A 内阻/9 mΩ 封装 TO-220铁
常用MOS场效应管，MOS场效应管参数
100V N沟道增强型MOS，高密度先进的沟槽技术。该15A10DL是N沟道增强模式，这是使用产生的功率效果transitor，尤其适用于低电压应用功率，管理的DC-DC转换器。minize通态resistance.These设备。
高密度工艺特别能，常用MOS场效应管，MOS场效应管参数。TO252封装设计，100V/8A，DS（ON）=80mΩ（TYP。） VGS =10V，DS（ON）Ω(typ.)@VGS=4.5V，超高设计极低的RDS（ON），卓越的导通电阻和最大DC电流能力，完全符合RoHS标准，100％UIS测试，100％通过Rg测试
应用：能源管理，DC / DC转换器，负荷开关。常用MOS场效应管，MOS场效应管参数
VDSS=40V/ VS=±20V/ ID=60A
DS（ON）=8mΩ（最大）@ VGS =10V
DS（ON）=13mΩ（最大）@ VGS =4.5V
可靠耐用先进的加工技术，高密度电池设计超低导通电阻，在TV转换器电源管理 DC-DC转换器，晶片直径8英寸（±0.1英寸），晶圆厚度：7mils（±0.6密耳），芯片尺寸：2060μm点ˉx1140μm（包括划线）常用MOS场效应管，MOS场效应管参数
?划线宽度：60微米，?格罗斯模具：12305，金属化：前端：铝/铜背面：钛/镍/银，??金属厚度前侧：4.0um Back0side：1.4um，??粘接面积：门：300μm的430倍微米（模具边缘到栅金属为40μm）资料来源：源区的全金属化表面（模具边缘源金属为60μm），?推荐引线键合门：5密尔铝线×1来源：12密耳铝线×2推荐封装：TO-252，常用MOS场效应管，MOS场效应管参数
40V N沟道增强型MOS
参数：漏源击穿电压40V，栅极阈值电压2-4V零电压门漏电流为30uA，栅极漏电流100nA的±，漏源导通电阻15-18mΩ
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