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MOS场效应管
 市场最常用的MOS场效应管应用参数列表应用说明
商品型号MOS场效应管
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市场最常用的MOS场效应管应用参数列表和应用说明

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产品型号   电压参数      电流参数          阻值参数            封装参数
 
20N03      电压/30V      电流/20A         内阻/26mΩ         封装   TO-252/SOP-8
 
60N03      电压/30V      电流/60A         内阻/13mΩ         封装   TO-252/TO-220铁
 
80N03      电压/30V     电流/80A        内阻/10mΩ           封装   TO-252
 
85N03      电压/30V     电流/85A        内阻/ 8mΩ            封装    TO-252
 
150N03    电压/30V     电流/150A      内阻/4mΩ            封装   TO-220铁
 
30P03      电压/30V      电流/30A       内阻/30mΩ           封装   TO-252
 
20N04      电压/40V     电流/20A        内阻/35mΩ          封装   TO-252
 
60N04      电压/40V     电流/60A        内阻/ 5mΩ           封装    TO-252
 
20N06      电压/60V     电流/20A        内阻/50mΩ          封装   TO-252
 
50N06      电压/60V      电流/50A        内阻/20mΩ         封装   TO-252/TO-220F/SOP-8
 
75N75      电压/75V      电流/75A        内阻/9 mΩ          封装   TO-220铁
MOS场效应管
常用MOS场效应管MOS场效应管参数MOS场效应管

100V N沟道增强型MOS,高密度先进的沟槽技术。该15A10DL是N沟道增强模式,这是使用产生的功率效果transitor,尤其适用于低电压应用功率,管理的DC-DC转换器。minize通态resistance.These设备。
高密度工艺特别能,常用MOS场效应管MOS场效应管参数TO252封装设计,100V/8A,DS(ON)=80mΩ(TYP。) VGS =10V,DS(ON)Ω(typ.)@VGS=4.5V,超高设计极低的RDS(ON),卓越的导通电阻和最大DC电流能力,完全符合RoHS标准,100%UIS测试,100%通过Rg测试
应用:能源管理,DC / DC转换器,负荷开关。常用MOS场效应管MOS场效应管参数

MOS场效应管
VDSS=40V/ VS=±20V/ ID=60A
DS(ON)=8mΩ(最大)@ VGS =10V
DS(ON)=13mΩ(最大)@ VGS =4.5V
可靠耐用先进的加工技术,高密度电池设计超低导通电阻,在TV转换器电源管理 DC-DC转换器,晶片直径8英寸(±0.1英寸),晶圆厚度:7mils(±0.6密耳),芯片尺寸:2060μm点ˉx1140μm(包括划线)常用MOS场效应管MOS场效应管参数
?划线宽度:60微米,?格罗斯模具:12305,金属化:前端:铝/铜背面:钛/镍/银,??金属厚度前侧:4.0um Back0side:1.4um,??粘接面积:门:300μm的430倍微米(模具边缘到栅金属为40μm)资料来源:源区的全金属化表面(模具边缘源金属为60μm),?推荐引线键合门:5密尔铝线×1来源:12密耳铝线×2推荐封装:TO-252,常用MOS场效应管MOS场效应管参数
MOS场效应管
40V N沟道增强型MOS
特征:40V/ 20A,内阻O N)=27毫欧 VGS =10V,无铅绿色设备可用,常用MOS场效应管MOS场效应管参数40V漏极到源极电压
参数:漏源击穿电压40V,栅极阈值电压2-4V零电压门漏电流为30uA,栅极漏电流100nA的±,漏源导通电阻15-18mΩ
特点:RθJC/热电阻,结到外壳2℃/ W,热阻,结到环境75℃/ W,漏源击穿电压测试条件VGS= 0V,ID =250uA40V。
MOS场效应管

40V N沟道增强型MOS
描述:该AH150N04采用先进的沟槽技术和,设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。常用MOS场效应管MOS场效应管参数
特征:VDS =40V,ID =150A,RDS(ON)<3毫欧 VGS= 10V RDS(ON)<4.0m毫欧 VGS= 4.5V,高密度电池设计超低导通电阻低,充分界定雪崩电压和电流,良好的稳定性和均匀性高WAS,优秀的包装为良好的散热,特殊的工艺技术,高ESD能力。常用MOS场效应管MOS场效应管参数
常用MOS场效应管MOS场效应管参数应用:电源开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源供应,绝对最大额定值,漏 - 源电压VDS40V,栅源电压±20V,漏级电流150A,漏电流连续(TC=100℃)105A,漏电流脉冲600A,最大功率130瓦特,工作结存储温度范围-55?175℃
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MOS场效应管

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