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WD2030
 12V-24V转12V5V15A大电流芯片内置MOS
商品型号WD2030
商品概述:12V转5V大电流芯片,24V转12V大电流芯片,24V转5V大电流芯片
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详细参数
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12V-24V转12V5V15A大电流芯片内置MOS
微电半导体优势推出款输入电压7v-30V同步降压芯片芯片(内置MOS管)大电流同步整流DDCDC直流降压转换芯片,开机瞬间无过冲,过温保护、过流保护优越
支持宽电压输入降压芯片,芯片内置功率MOS。 它可在很宽的VIN范围内工作,并以低静态电流进行调节。 误差放大器将输出电压与1.0V的内部基准电压进行比较,并调整峰值电感器电流相应地。过压和欠压比较器将关闭稳压器
12V-24V转12V5V15A大电流芯片内置MOS具有出色的线路和负载调节能力支持15A大电流输出,在输入12V-24V 时可支持输出电流5V/15A ,12V/15A,9V/15A

参数
输入电压范围7V至30V
可调输出电压1V至25V
连续工作电流15A
功率50W
可编程频率(85KHz-300KHz)
输出电压精度+/- 2%
工作效率高达96%
 
12V-24V转12V5V15A大电流芯片内置MOS在正常操作期间,内部顶部功率开关(N沟道MOSFET)在每个时钟周期的开始时打开,从而导致电感器电流增加。 然后将感应到的电感器电流传送到平均电流放大器,将其输出进行比较带有锯齿坡道。当电压超过vduty电压时,PWM比较器跳闸并关闭顶部功率MOSFET。顶部功率MOSFET关闭后,同步功率开关(N沟道MOSFET)打开,从而导致电感器电流减小。除非达到反向电流限制并且反向电流比较器跳闸,否则底部开关将保持开启状态,直到下一个时钟周期开始。在闭环操作中,平均电流放大器创建一个平均电流环路,该环路迫使平均感测到的电流信号等于
内部ITH电压。请注意,该平均电流环路的直流增益和补偿会自动调整,以保持最佳的电流环路响应。误差放大器通过将分压后的输出电压(VFB)
与1.0V参考电压进行比较来调节ITH电压。
 
芯片采用耐热增强型QFN5 * 5封装,输出15A的大电流但是它的外围只需要很少的元件,电路简单,系统成本低,12V-24V转12V5V15A大电流芯片内置MOS芯片还具有全方位的保护功能提高它的可靠性
应用领域:车载电源系统、可充电便携式设备、网络系统、分布式电源系统、
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